Усилитель 25-ваттный MosFet

Усилитель 25-ваттный MosFet

265
0

2013-12-09, 19.29.37

Усилитель на полевых транзисторах

Технические характеристики:

Выходная мощность: намного превышающие 25Watt RMS @ 8 Ом (1 кГц синусоиды)
Чувствительность 200 мВ входом для выхода 25W
Частотная характеристика: от 30 Гц до 20 кГц -1 дБ
Суммарный коэффициент гармонических искажений @ 1 кГц: 0,1 Вт 1W 0,014% 0,006% 0,006% 10W 20W 25W 0,007% 0,01%
Суммарный коэффициент гармонических искажений @ 10 кГц: 0,1 Вт 1W 0,024% 0,016% 0,02% 10W 20W 25W 0,045% 0,07%

R1,R4_________47K 1/4W Resistors
R2____________4K7 1/4W Resistor
R3____________1K5 1/4W Resistor
R5__________390R 1/4W Resistor
R6__________470R 1/4W Resistor
R7___________33K 1/4W Resistor
R8__________150K 1/4W Resistor
R9___________15K 1/4W Resistor
R10__________27R 1/4W Resistor
R11_________500R 1/2W Trimmer Cermet
R12,R13,R16__10R 1/4W Resistors
R14,R15_____220R 1/4W Resistors
R17___________8R2 2W Resistor
R18____________R22 4W Resistor (wirewound)
C1___________470nF 63V Polyester Capacitor
C2___________330pF 63V Polystyrene Capacitor
C3,C5________470µF 63V Electrolytic Capacitors
C4,C6,C8,C11_100nF 63V Polyester Capacitors
C7___________100µF 25V Electrolytic Capacitor
C9____________10pF 63V Polystyrene Capacitor
C10____________1µF 63V Polyester Capacitor
Q1-Q5______BC560C 45V 100mA Low noise High gain PNP Transistors
Q6_________BD140 80V 1.5A PNP Transistor
Q7_________BD139 80V 1.5A NPN Transistor
Q8_________IRF532 100V 12A N-Channel Hexfet Transistor
Q9_________IRF9532 100V 10A P-Channel Hexfet Transistor


НЕТ КОММЕНТАРИЕВ

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ